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【24h】

Si共鳴トンネリングMOSトランジスタによる多値論理回路の可能性

机译:具有硅谐振隧穿MOS晶体管的多级逻辑电路的潜力

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摘要

シリコン共鳴トンネリングMOSトランジスタ(SRTMOST)による論理回路により,多値論理回路の可能性を検討した.CMOSのインバータ回路におけるN-MOSFETを二つのN-SRTMOSTの並列回路に置き換えた.出力特性は高電位,低電位のほかに二つのプラトーな領域が現れた.この結果はSRTMOSTを使った論理回路により,多値論理回路を実現できることを示すものである.
机译:使用使用硅谐振隧穿MOS晶体管(SRTMOST)的逻辑电路研究了多值逻辑电路的可能性。 CMOS逆变器电路中的N-MOSFET被两个N-SRTmost并联电路所取代。 除了高电位和低电位外,输出特性中还出现了两个高原区。

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