昇華法によるSiCバルク単結晶成長: 数値解析の活用

摘要

昇華法によるSiC単結晶成長は，2000℃を超える黒鉛るつぼで閉じられた閉鎖空間でのブラックボックスプロセスであり，これまで経験則に基づく技術開発が行われてきた．そのため，大口径化・高品質化に対して解決すべき技術課題が多数残されている．今回，数値解析を結晶成長炉内の可視化技術として適用し，実際の昇華法による結晶成長時の温度・昇華ガス濃度・応力分布の解析を行い，SiC単結晶品質の向上に資してきたので，その結果を報告する．