シミュレーテッド量子アニーリングを用いたマスク最適化手法

摘要

半導体プロセスの微細化のために，光リソグラフィ技術の進展が求められている．光リソグラフィの解像度を改善する技術のうち，ウェハ上に転写されるパタンの忠実性をマスク最適化によって改善する光近接効果補正（Optical Proximity Correction, OPC）は，光リソグラフィ技術の進展において重要な役割を担っている．このマスク最適化問題は0-1 2次計画問題に定式化できることが知られている．近年，0-1 2次計画問題を高速に解く量子アニーリングが注目を集めている．そこで本稿では，マスク最適化問題に対して，シミュレーテッド量子アニーリングを用いて，ターゲットパタンへの忠実性とプロセスばらつきへの耐性を持つマスクを生成する手法を検討する．計算機実験において，シミュレーテッド量子アニーリングを用いた手法と既存手法に対して，得られたマスクのターゲットパタンへの忠実性とプロセスばらつきへの耐性，計算時間について評価を行う．