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GaNデバイスの性能を最大限引き出す「超高速駆動制御」IC技術を確立

机译:建立“超高速驱动控制”IC技术,最大限度地提高GaN器件的性能

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摘要

ローム㈱は、GaNデバイスなど高速スイッチングデバイスの性能を最大限引き出す超高速駆動制御に技術を確立した。近年、GaNデバイスは高速スイッチングの特性優位性から採用の広がりを見せるー方で、その駆動を指示する役割を担う制御ICの高速化が課題となっていた。
机译:ROHM株式会社已经建立了超高速驱动控制技术,可最大限度地提高GaN器件等高速开关器件的性能。 近年来,氮化镓器件因其在高速开关特性方面的优势而被广泛采用,而问题一直是提高控制IC的速度,控制IC在指示驱动方面起着重要作用。

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