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【24h】

Link Between O_(2)SiH Infrared Band Amplitude and Porous Silicon Photoluminescence During Ambient O_(3) Oxidation

机译:O_(3)环境氧化过程中O_(2)SiH红外波段幅度与多孔硅光致发光之间的联系

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摘要

We carefully evaluate how porous silicon (pSi) surface oxidation by ozone (O_(3)) and the resulting changes in nanocrystallite surface chemistries (e.g., SiOSi, SiH_(x) (x velence 1-3), O_(y)SiH (y velence 1-2), and SiOH) influence the pSi photolminescence (PL). We discover a relationship between the pSi PL and the O_(2)SiH band amplitude.
机译:我们仔细评估了多孔硅(pSi)如何被臭氧(O_(3))氧化以及纳米晶体表面化学性质(例如SiOSi,SiH_(x)(x velence 1-3),O_(y)SiH( 1-2)和SiOH)影响pSi光致发光(PL)。我们发现pSi PL和O_(2)SiH波段幅度之间的关系。

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