MgB_2薄膜のas-grown成長とジョセフソン接合の作製

摘要

共蒸着法と、スパッタリング法を用いて，as-grown MgB_2超伝導薄膜の製膜を行った。 両方法とも、300℃以下の製膜温度により超伝導特性を得ることに成功した。臨界温度はスパッタリング法、共蒸着法それぞれで、35K、29Kを示した。 得られた薄膜を用いて、MgB_2/AlN/NbNの積層構造による、ジョセフソン接合を試作した。 接合は明瞭なジョセフソン電流とギャップ構造を示した。 臨界電流密度は1kA/cm~2を超え、良いトンネル電流の均一性を示唆する、外部磁場変調特性が得られた。