アンチモン系半導体量子ドットレーザの研究

摘要

GaAs基板上に光通信波長帯にて動作する半導体レーザの開発を目的として、アンチモン（Sb）を用いる量子ドットレーザの研究開発を行っている。 ここではInAs量子ドットの歪み緩和層にGaAsSbを用いる 試みと、InGaSb量子ドットを活性層に導入する試みを紹介する。 試作したレーザダイオードは波長1.3 ミクロンで室温連続発振に成功した。