光走査型プローブを用いた電磁界分布の測定

摘要

GHz帯における高速かつ低侵襲な電磁界分布測定を目指して、光技術を応用した光走査型プローブの開発を進めている。 本プローブでは、測定位置の指定に光ビームの高速な平面走査が可能なガルバノスキャナを、電界や磁界の検出に電気光学効果や磁気光学効果を示す材料の結晶薄板をそれぞれ使用する。 本プローブによる電磁界検出の概要と、電気光学効果結晶としてLiNbO_3とCdTeを用いた電界分布の測定例について述べる。 また、GHz帯での高速な磁界検出を目指した光磁界プローブアレイによる磁界分布測定例について報告する。