絶縁膜／半導体界面制御と電気的特性

摘要

Si以外の半導体材料を用いたMetal-oxide-semiconductor field－effect transistor（MOSFET）に関する研究が，大規模集積回路（LSI）やパワーデバイスにおいて盛んに行われている。Siの材科物性で決まる限界を超えるため，LSIではSiよりも移動度が大きく，有効質量が小さいGeやIII-V族化合物半導体材料，パワーMOSFETではSiよりもエネルギーバンドギャップが大きく，絶縁破壊電界が高いSiC2）やGaNに注目が集まっている。MOSFETでは，絶縁膜とそれらの半導体との界面構造を制御することが重要となる。その制御に際して，半導体固有の特性（熱的，化学的安定性等）を十分に理解した上で，半導体材料固有のプロセスを構築する必要がある。こうしたプロセスを用いることによって，それらの半導体のバルク特性を活かしたデバイスを作製することが可能となる。