溶液プロセスを用いた酸化インジウム薄膜のエキシマ光による低温形成と薄膜トランジスタの特性評価

摘要

近年，次世代ディスプレイの候補の一つであるフレキシブルディスプレイは，現行のフラットパネルディスプレイに比べ軽量で蒲く，柔軟性を持ち合わせているため，従来の視点に捉われない幅広い分野での応用が可能であるとされている。しかし，フレキシブルディスプレイに利用されるプラスチックなどの樹脂基板は，ガラスなどに比べ耐熱温度が低く，高温の熱処理プロセスが利用できない等の課題がある。よって，ディスプレイの駆動用素子である蒲膜トランジスタ（Thin-Film Transistor, TFT）に用いられる半導体材料には，低温·大面積·低コストで作製でき，高い移動度を有することが要求される。その候補の一つとして酸化物半導体が注目されている。酸化物半導体の中でもInGaZnOはアモルファス相での高電子移動度と低いオフ電流を有しており，すでにタブレット等に実川化されている。最近は，酸化物半導体を用いたフレキシブルデバイスの研究が多く報告されている。その中でも酸化インジウム（In_2O_3）は低温形成が可能なため，光アシストアニーリングや塗布熱分解法などと組み合わせ，200℃以下の低温プロセスでフレキシブルデバイスが開発されている。