窒化ガリウム半導体で高出力・高周波デバイスを実現

摘要

独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構は、 窒化ガリウム（GaN）半導体のワイヤレス通信デバイスへ の応用を目的とした『窒化物半導体を用いた低消費電力型 高周波デバイスの開発』プロジエクトを実施し、高品質で 均一なGaNウエハ結晶成長技術及びGaNウエハ評価・解 析技術を確立すると共に、高出力動作に有効なヘテ口接合 電界効果トランジスタ（HFET）及びその作製技術を開発 した。