窒化ガリウムHEMTを用いた小型?高出力なミリ波帯送受信モジュール技術を開発

摘要

(株）富士通研究所は、窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）を用いて、ミリ波帯まで適用可能な10W出力の送受信モジュール技術を開発した。従来、ミリ波帯に対応した高出力のモジュールを実現するには、発熱を逃がすために部品ごとにパッケージ化してモジュールを構成する必要があるため小型化が難しく、また高周波化に伴いモジュール内の端子接続部での損失が増大するためミリ波帯までの対応が困難だった。