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机译:通过电气装置验证拉伸应变GE纳米线中缩小的带隙
Tech Univ Wien Inst Solid State Elect Gusshausstr 25-25a A-1040 Vienna Austria;
Tech Univ Wien Inst Solid State Elect Gusshausstr 25-25a A-1040 Vienna Austria;
Tech Univ Wien Inst Solid State Elect Gusshausstr 25-25a A-1040 Vienna Austria;
Univ Grenoble Alpes CNRS CEA Leti Minatec Grenoble INP LTM F-38054 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CNRS CEA Leti Minatec Grenoble INP LTM F-38054 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CEA IRIG PHELIQS F-38054 Grenoble France;
Tech Univ Wien Inst Solid State Elect Gusshausstr 25-25a A-1040 Vienna Austria;
Tech Univ Wien Inst Solid State Elect Gusshausstr 25-25a A-1040 Vienna Austria;
germanium; nanowire; strain; band gap narrowing;
机译:拉伸应变Ge作为新型窄带隙吸收体的太阳能电池的数值分析
机译:拉伸应变Ge中电子迁移率和带隙的综合研究
机译:基于(0 0 1)Si衬底的应变Si_(1-x)Ge_x中的带隙变窄
机译:InxGa1-xAs上拉伸应变Ge的带隙变窄及其在玻璃基板上转移到太阳能电池应用中的评估
机译:低功率隧道场效应晶体管的混合As / Sb和拉伸应变的Ge / InGaAs异质结构
机译:Ge虚拟衬底上的拉伸应变Si0.13Ge0.87 / Ge多量子阱的室温电致发光
机译:硅衬底上拉伸应变锗薄膜中自旋相关的直接间隙发射
机译:Ga(as,p)应变层超晶格:具有可独立调节的带Gap和晶格常数的三元半导体