机译:不同技术和节点6T SRAM单元的设计与性能分析
Department of Electronics and Communication Engineering;
VNR Vignana Jyothi Institute of Engineering and Technology (VNR VJIET);
Hyderabad JNTUH University;
Accuracy; SRAM; CMOS; FinFET; CNTFET GNRFET; HSPICE;
机译:45 nm技术下的6T,8T和9T decanano SRAM单元的设计与分析
机译:基于FinFET的6T SRAM单元设计:性能指标,工艺变化和温度影响的分析
机译:基于FinFET的6T SRAM单元设计:性能指标,工艺变化和温度效应分析
机译:22nm CMOS和FINFET技术节点中的6T SRAM单元的设计和性能分析
机译:基于7NM FinFET的6T SRAM细胞瞬态和DC分析性能分析
机译:用于提高小区边缘用户性能的稳健发射天线设计:NOMA方法和停电/遍历容量分析
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