机译:硼和氮掺杂对CNT电学性能的影响:密度函数理论
Al Al Bayt Univ Dept Phys Al Mafraq 130040 Jordan;
Al Al Bayt Univ Dept Phys Al Mafraq 130040 Jordan;
Single wall carbon nanotube; Nano-sensors; Co-doping; Band gap energy; DFT;
机译:硼和氮掺杂对CNT电性能的影响:密度函数理论
机译:H或S共掺杂硼掺杂金刚石中浅n型导电性的起源:密度泛函理论研究
机译:氮和硼掺杂的碳纳米锥的电子和场发射特性的密度泛函理论研究
机译:燃料电池电极的SP〜3和SP〜2杂交氮掺杂CNT表面的O_2物理吸附密度 - 功能性理论
机译:调整后的密度泛函理论应用于随时间变化的光学和按摩特性的密度泛函理论计算。
机译:硼 - 磷化物单层结构弹性和电子性能的缺陷和应变工程:杂交密度泛函理论研究
机译:通过密度函数理论计算研究的双中心,三中心和四中心DIVE P键合系统:双(二甲基β1)胺,双(二甲基β1)甲胺和双(二甲基氨基)甲基硼(二甲基BARYL)甲胺的分子结构由气体电子衍射确定
机译:嵌套马尔可夫链蒙特卡罗密度泛函理论取样:稠密流体氮的平衡热力学