机译:含有含有层和量子孔的缺陷掺入:通过深层次分析和光学光谱进行实验分析
Univ Padua Dept Informat Engn Padua Italy;
Univ Padua Dept Informat Engn Padua Italy;
Univ Padua Dept Informat Engn Padua Italy;
Ecole Polytech Fed Lausanne EPFL Inst Phys Lausanne Switzerland;
Ecole Polytech Fed Lausanne EPFL Inst Phys Lausanne Switzerland;
Ecole Polytech Fed Lausanne EPFL Inst Phys Lausanne Switzerland;
Univ Padua Dept Informat Engn Padua Italy;
Univ Padua Dept Informat Engn Padua Italy;
Ecole Polytech Fed Lausanne EPFL Inst Phys Lausanne Switzerland;
Univ Padua Dept Informat Engn Padua Italy;
InGaN; SSPC measurements; underlayer; defects growth;
机译:Z_(1/2),EH_5和CM深缺陷对n型4H-SiC外延层肖特基探测器性能的影响:阿尔法光谱和深能级瞬态光谱研究
机译:Z1 / 2,EH5和Ci1深缺陷对n型4H-SiC外延层肖特基探测器性能的影响:α光谱和深能级瞬变光谱研究
机译:通过光学和热深能谱详细表征InGaN肖特基二极管中的深能级缺陷
机译:用深水区瞬态光谱法通过分子束外延生长的块状GaN层中底物诱导深水位缺陷的研究
机译:使用导纳光谱法研究半绝缘4H和6H碳化硅的深层缺陷
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:错误:“通过光学和热刺激的缺陷谱检测的(010)β-Ga2O3的整个带隙的深层缺陷”苹果。物理。吧。 108,052105(2016)
机译:非破坏耗尽边缘对深层瞬态光谱确定深陷剖面的影响