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Erratum: “Deep level defects throughout the bandgap of (010) β-Ga2O3 detected by optically and thermally stimulated defect spectroscopy” Appl. Phys. Lett. 108, 052105 (2016)

机译：错误：“通过光学和热刺激的缺陷谱检测的（010）β-Ga2O3的整个带隙的深层缺陷”苹果。物理。吧。 108,052105（2016）

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Z. Zhang; E. Farzana; A. R. Arehart; S. A. Ringel;
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年度 2016
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1. Deep level defects throughout the bandgap of (010) β-Ga_2O_3 detected by optically and thermally stimulated defect spectroscopy [J] . Z. Zhang, E. Farzana, A. R. Arehart, Applied Physics Letters . 2016,第5期

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2. Erratum on "Determining the defect parameters of the deep aluminum-related defect center in silicon" [Appl. Phys. Lett. 91,122109 (2007)] [J] . Philipp Rosenits, Thomas Roth, Stefan W. Glunz Applied Physics Letters . 2011,第23期

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3. Erratum: 'Optical properties of nearly stacking-fauIt-free m-plane GaN homoepitaxial films grown by metal organic vapor phase epitaxy on low defect density free-standing GaN substratesl [Appl. Phys. Lett. 92, 091912 (2008)] [J] . S. F. Chichibu, H. Yamaguchi, L. Zhao, Applied Physicsletters . 2008,第12期

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5. Deep defects in wide bandgap materials investigated using deep level transient spectroscopy. [D] . Perjeru, Florentina. 2001

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Erratum: “Deep level defects throughout the bandgap of (010) β-Ga2O3 detected by optically and thermally stimulated defect spectroscopy” Appl. Phys. Lett. 108, 052105 (2016)

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