机译:多层1T-TIS2中的可调光电性能:应变和外部电场的影响
Beijing Normal Univ Dept Phys &
Appl Opt Beijing Area Major Lab Ctr Adv Quantum Studies Beijing 100875 Peoples R China;
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Univ Fed Juiz de Fora Inst Ciencias Exatas Dept Fis Campus Univ BR-36036900 Juiz De Fora MG Brazil;
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机译:电场和菌株的新型G-ZnO / 1T-TIS2 VDW异质结构的可调电子特性:带隙和带对准类型的交叉
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机译:通过外部应变和电场调谐电子性质和Ins-arsenene异质结构的带对准
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机译:不同层间距离和外部电场的双层α-GeTe的可调电性能
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机译:应变,电场和自由载体存在下量子阱中激子特性的非变分数值计算