Реверсивная поляризационная голографическая запись в многослойных наноструктурах As_2S_3-Se

摘要

Исследован процесс поляризационной голографической записи дифракционных решеток и их последующего стирания в многослойной наноструктуре As_2S_3-Se. Изучено влияние предварительной засветки актиничным лазерным излучением до полного насыщения фотостимулиро- ванных изменений оптических свойств на формирование дифракционных решеток в исследуемой структуре. Показано, что засветка многослойной наноструктуры (МНС) As_2S_3-Se актиничным светом приводит к фотопросветлению, а величина максимально достижимой дифракционной эффективности (ДЭ), равной 35%, при записи решеток не изменяется, но необходимая экспозиция до достижения максимума увеличивается. Также показано, что экспозиция одним лучом приводит к полному стиранию записанной до максимума дифракционной решетки. Проведенные семь циклов записи-стирания показали, что кинетика роста ДЭ и ее максимальная величина не изменяются, что указывает на то, что на MHC As_2S_3-Se осуществима реверсивная голографическая запись при ортогональной циркулярной поляризации. Исследование полученных решеток на атомном силовом микроскопе (АСМ) свидетельствует, что основным фактором, определяющим значение ДЭ записанных решеток, является модуляция рельефа, глубина которого составляет более 200 нм.