首页> 外文期刊>Электричество >Полупроводниковое устройство управления высоковольтным вакуумным прибором
【24h】

Полупроводниковое устройство управления высоковольтным вакуумным прибором

机译:半导体器件控制高压真空装置

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

Использование высоковольтных вакуумных приборов (ВВП) для техндлогических целей при коммутации высоких напряжений (до 200 кВ) в импульсном, квазистационарном и стационарном режимах на периодически пробивающуюся нестационарную нагрузку требует создания надёжных полупроводниковых устройств управления (УУ), подмодуляторов, находящихся на потенциале катода, обеспечивающих работоспособность коммутатора в условиях возникновения искрового пробоя. Разработаны два типа полупроводниковых УУ коммутационного и, инверторного типов для ВВП типа электронно-лучевой вентиль (ЭЛВ), секундной, микросекундной длительности импульса на выходные напряжения от -1 до +6 кВ, током 0,1 ..., 1 А. Минимальная длительность фронта и среза выходного импульса УУ коммутационного типа 1,0 мкс, инверторного типа до 100 мкс длительность импульса управления не ограничена. В программе EWB предложена методика компьютерного исследования процессов, происходящих в электрической схеме УУ при воздействии на выходные клеммы высоковольтной импульсной помехи, аналога искрового пробоя амплитудой до 200 кВ, током до 1 кА.
机译:在脉冲中切换高电压(高达200 kV)时,使用高压真空装置(GDP)用于技术目标,在周期性地破坏非静止负载上,需要创建可靠的半导体控制装置(UU ),位于阴极的电位上的潜水器,在发生火花击穿的情况下提供性能开关。两种类型的半导体UU切换,以及GDP类型的电子束阀(ELV)的逆变器类型,第二,微秒脉冲持续时间,输出电压为-1至+6 kV,电流0.1 ...,1 A.最小持续时间前方和uu开关类型1.0μs的输出脉冲的切片,逆变器类型高达100μs控制脉冲的持续时间不受限制。 EWB计划提出了一种计算机研究方法,用于在吴电路中发生的过程,当暴露于高压脉冲干扰的输出端子时,火花击穿幅度的模拟到200kV,电流为1ka。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号