全光論理ゲート素子に向けたInP（311）B基板を用いた1550nm帯20層積層QD-SOAの特性評価

摘要

光論理ゲート素子に向け、歪補償技術を用いて量子ドット（QD）を20層積層した量子ドット半導体光増幅器（QD-SOA）を作製し、その基本的な特性を評価した。作製したQD-SOAの素子長は1650μmmであり、波長1558nmの光を入射し、500mA程度の電流を注入した際、最大利得は20dBであり、利得係数としては27.9cm~(-1)が得られた。また、パルス幅360fsのフェムト秒パルスレーザ光をQD-SOAに入射させ自己相関波形を観察した結果、入射光に比べ増加したパルス幅は55fs程度であった。