GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用

摘要

独自に開発したGaNナノワイヤの無触媒有機金属気相成長法による作製技術（自己形成法および選択成長法）について、得られる結晶の形状に影響を与えるパラメータの熱力学的および反応工学的解析を行った。その結果、GdNナノワイヤは低過飽和度において形成されること、微細な構造の選択成長ではパターンの開口率を考慮して材料供給量を最適化する必要があること、が明らかになった。一方、高品質な単一光子発生器への応用を目指して、GaN／AlNヘテロ構造ナノワイヤにGaN量子ドットを組み込hだ素子を作製し、その光学特性を評価した。