GaAs系5層非対称結合量子井戸(FACQW)における巨大な電界誘起屈折率変化と高性能光変調器への応用

摘要

5層非対称結合量子井戸(FACQW)は，光吸収端波長から十分に長波長側に離れた透明波長域においても電界誘起屈折率変化△nが極めて大きいという特長を持ち，超広波長域·超高速光変調器／光スイッチへの応用が期待できる．本稿では，短波長帯用GaAs/AlGaAs FACQWの電界屈折率効果の理論解析，分子線エピタキシー法（MBE法）による作製技術の確立，FACQW光変調器構造の作製と巨大な電界屈折率変化の実測，マッハ·ツェンダー(MZ)干渉計型光変調器の試作などの研究結果について報告する．