銅配線用CMPスラリーの開発：Cuスラリーの低ディッシング化及びバリア膜スラリーの選択比制御

摘要

銅配線用CMPプロセスは微細化と多層化が進む中で、ますますその重要性を増しているが、CMPスラリーがその性能及びコストを左右する重要な役割を果たすため、高性能かつ低コストのスラリー開発を嘱望されている。 配線用CMPプロセスでは銅を研磨する第一研磨プロセスとバリア膜を研磨する第二研磨プロセスの2ステップからなり、それぞれ異なるスラリーが用いられるのが一般的である。 銅配線用CMPスラリーに要求される性能項目は多いが、その中で第一研磨スラリー（以下Cuスラリー）ではCu膜に対する高い研磨速度と優れた段差解消性（特にデイッシング性能）、第二研磨スラリー（以下バリア膜スラリー）では被研磨膜に応じた研磨速度比すなわち選択比の制御が特に重要であり、本稿ではこれらを中心に述べる。