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【24h】

パワーMOSFET、IGBTの低損失化および高周波化について、パッケージ面も含めて解説する:パワー半導体デバイスの技術動向

机译:功率MOSFET,IGBT低损耗和高频,包括封装方面:功率半导体器件的技术趋势

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摘要

近年、エレクトロニクスは目覚しい発展をとげ、自動車に次いで社会を背負う産業へと成長してきた。 これまで、電子装置は多機能化、高精度化そして軽薄短小化をコンセプトとして製品化されてきた。 しかし、それらのコンセプトに多くの人々が疑問をもち始めている。 図1に電子装置の特徴を表すキーワードを示す。 関連するキーワードの結びつきの強さを実線、点線で、各キーワードを実現する手法と共に示す。 接続されていないキーワードは相反することを意味する。 電子装置が機能するためには十分な電力供給が前提条件になるが、原子力、水力、火力、風力、地熱など電力供給源のいずれもが地球温曖化の原因になる。
机译:近年来,电子产品已经增长了卓越的发展,他已经发展成为一个向汽车提供社会的行业。 到目前为止,电子设备已被商业化作为多功能化,高精度和轻薄的概念。 然而,许多人对这些概念令人怀疑。 图。图1示出了表示电子设备的特征的关键字。 相关联的关键字连接的强度以实线,虚线和实现每个关键字的方法显示。 未连接的关键字意味着它们的冲突。 为了使电子设备运行,电源足够的电源是前提,而是核电,水电,火电,风力电源和地热电电源可能导致全球温度分配。

著录项

  • 来源
    《電子技術》 |2002年第5期|共5页
  • 作者

    山崎浩;

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 电子电路;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-20 15:43:12

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