HSPICEを用いたシリコン回路とカーボンナノチューブ回路の比較評価

摘要

シリコン半導体の微細化は限界に近づきつつあることから，シリコントランジスタに代わるデバイスが近年注目を集めている．本研究では，そのようなデバイスとして，カーボンナノチューブ（CNT）トランジスタに着目する．CNTトランジスタはトランジスタのチャネルに数ナノメートル級のCNT材料を使用したLSIであり，シリコントランジスタよりも低消費電力で高速なスイッチング動作が可能と言われている．本稿では，CNTトランジスタを用いたプロセッサのアーキテクチャを検討するため，プロセッサ内の代表的な回路である加算器とSRAMについて，それぞれをシリコン·トランジスタとCNTトランジスタによって実装した場合の性能と電力をHSPICEにより比較する．