［招待講演］ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス開発に資するシミュレーション研究

摘要

ワイドバンドギャップ半導体である4H-SiCおよび2H-GaNを用いたパワーデバイスの開発に資する，市販プロセス·デバイスシミュレータを用いた研究を，Siパワーデバイスの場合との相違に留意して紹介する。具体的には，2H-GaN p-n接合の順方向特性を飛躍的に向上させる外因性フォトン·リサイクリングについて述べた後に，（i）プロセス·シミュレーション研究として4H-SiCにおけるAlイオン注入およびB拡散を，（ii）デバイス構成要素のシミュレーション研究として2H-GaNにおけるショットキー接合および4H-SiCにおける終端構造を，（iii）デバイス·シミュレーション研究として4H-SiCユニポーラ·ダイオードおよび2H-GaNバイポーラ·スイッチング素子を例に示す。