自由電子レーザー照射による面内配向単層カーボンナノチューブのカイラリティ制御の可能性

摘要

ホットウォール型（Hot Wall Type：HW-）CVD装置と波長800nmの自由電子レーザー（Free Electron Laser：FEL）、及びST-cutの人工水晶基板を用いて、面内方向に配向成長した単層カーボンナノチューブ（Single-Walled Carbon Nanotube：SWNT）のカイラリティ制御を試みた。CVD後の基板表面像から［100］方向に面内配向成長したSWNTを確認した。また、ラマンスペクトルから、SWNTの成長中にFEL照射を行うことで半導体性SWNTsが成長したことを確認した。しかし半導体性SWNT以外にも直径の太い金属性SWNTの成長を確認した。