首页> 外文期刊>ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ >Рентгеноэлектрические свойства монокристалла CdIn_2S_4
【24h】

Рентгеноэлектрические свойства монокристалла CdIn_2S_4

机译:CDIN_2S_4单晶的X射线电性能

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Изучены рентгенодозиметрические свойства монокристаллов CdIn_2S_4, выращенных из синтезированного соединения методом химических транспортных реакций. Показано, что коэффициент рентгеночувствительности монокристаллов CdIn_2S_4 варьируется в пределах 2,42 centre dot 10~(-10)- 2,43 centre dot 10~(-9) (А-мин)/(ВР) при эффективной жесткости излучения V_a = 25 - 50 кзВ мощностью дозы Е = 0,75 - 78,05 Р/мин. Установлено, что зависимость стационарного рентгенотока от дозы рентгеновского излучения носит степенной характер, и по мере увеличения V_a рентгенамперные характеристики CdIn_2S_4 стремятся к линейности.
机译:研究了通过化学传输反应方法从合成化合物生长的CDIN_2S_4单晶的X射线通用性质。结果表明,CDIN_2S_4单晶的X灵敏度系数在2.42中心点10〜(-10) - 2.43中心点10〜(-9)(A-min)/(BP)的范围内变化,具有有效的辐射刚度V_A = 25 - 50 CWS的剂量E = 0.75-78.05 r / min。已经确定,静止X射线从X射线辐射剂量的依赖性具有强大的特征,并且随着V_A的增加,CDIN_2S_4的X射线特性正在争取线性度。

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号