Исследовано влияние облучения электронами с Е = 2 МэВ и дозой до 1,9-10~(17) эл./см~2 массива отожжённых и неотожжённых углеродных нанотрубок (УНТ) на электропроводность σ(ρ), термо-ЭДС (а) и упругие характеристики в процессе деформации сжатием и релаксации при разгрузке. Отжиг УНТ при 800 °С удаляет топологические дефекты (Стоуна - Велса, вакансии и адатомы), искажающие форму УНТ. После облучения УНТ электронами с малыми дозами (0,63?10~(17) эл./см~2) дефекты накапливаются, а при больших дозах (1,9?10~(17) эл./см~2) - залечиваются. Ростовые и радиационные дефекты в отдельности приводят к топологическому беспорядку, снижая σ(ρ) и увеличивая а. Однако в процессе облучения, при взимодействии дефектов разного генезиса, их залечивание становится более эффективным, чем после отжига, а механизм эффективного залечивания может быть связан с малыми размерами УНТ, быстрой миграцией выбитых атомов между графеновыми слоями и рекомбинацией их с вакансиями.
展开▼
