Модель развития газовой пористости при послерадиационных отжигах ОЦК и ГЦК материалов, облученных ионами гелия

摘要

Рассмотрены особенности формирования гелиевой пористости при послерадиационных отжигах в ОЦК и ГЦК материалах, имплантированных гелием при комнатной температуре. Показано, что более высокая энергия связи гелий-вакансионных комплексов в ОЦК металлах сдерживает развитие газовой пористости. Образование в сплавах сложных комплексов типа He_mMe_kV_n с элементами замещения, термически более стойких, чем простые комплексы типа He_mV_n в чистых металлах, приводит к формированию более мелких пузырьков и меньшему газовому распуханию сплавов.