3次元積層ソリッド·ステート·ドライブ向け、4倍高速、15％低消費電力V_(PASS)（10V）、V_(PGM)（20V）生成電源システム

摘要

3次元積層ソリッド·ステート·ドライブ向けに、書き込み動作に必要な電圧（10V～20V）を出力するワイドレンジ電圧生成システムを提案する。SSDの書き込み時に必要な電圧／負荷は、10V/1nF、20V/100pFなど電圧·負荷ともに広範囲である。本研究では、高電圧·低電圧NANDフラッシュプロセスとスタンダードCMOSプロセスを組み合わせることで、V_(PASS)ブーストコンバーターの10V生成の高速化を実現した。また、V_(PGM)ブーストコンバーター向けに一定電流昇圧手法を提案し、消費エネルギー削減効果について議論する。SSD全体として4倍高速化できる可能性を示す。