...
首页> 外文期刊>Оптический журнал >АБЛЯЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ КОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ РЕНТГЕНОВСКИХ ПЛАЗМЕННЫХ ЛАЗЕРОВ И ЛАЗЕРОВ НА СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНАХ
【24h】

АБЛЯЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ КОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ РЕНТГЕНОВСКИХ ПЛАЗМЕННЫХ ЛАЗЕРОВ И ЛАЗЕРОВ НА СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНАХ

机译:在自由电子的X射线等离子体激光器和激光器的短脉冲作用下消融电介质

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

Проведено экспериментальное и теоретическое исследование абляции твердого диэлектрика с широкой запрещенной зоной (LIF) под действием ультракоротких лазерных импульсов ультрафиолетового диапазона, полученных в лазере на свободных электронах (длительность импульса τ_L=0,3 пс, энергия фотона hω_L= 20,2 эВ), и мягкого рентгеновского диапазона, полученных в лазере на плазме серебра (τ_L= 7 пс, hω_L = 89,3 эВ). Проведено сравнение результатов, полученных на обеих лазерных установках. Показано, что порог абляции для обоих лазеров примерно одинаков. Представлена теория, которая объясняет слабый рост абляционной массы с ростом поверхностной плотности энергии лазерного излучения (флюенса) в случае рентгеновских лазеров как результат перехода от откольной абляции вблизи абляционного порога к испарительной абляции при больших значениях флюенса.
机译:通过在游离电子上的激光器中获得的紫外线范围的超短紫外线范围的影响下进行实验和理论研究,进行了宽禁区(LiF)的影响(脉冲持续时间τ_L= 0.3 PS,光子能量Hω_L= 20.2eV),在银等离子体激光器中获得的软X射线范围(τ_l= 7 ps,hω_l= 89.3ev)。在两个激光装置上获得的结果比较。结果表明,两个激光器的消融阈值大致相同。提出了一个理论,该理论解释了消融物质的弱增加,随着从消融附近的完全消融的转变而导致X射线激光的情况下,激光辐射能量(Flyuens)的表面密度增加阈值以大量流量的蒸发消融。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号