ВСТАВКА В ГЕЛИЕВЫЙ КРИОСТАТ ДЛЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ С ОСТРИЕМ ВБЛИЗИ ПОВЕРХНОСТИ ОБРАЗЦА В СВЕРХТЕКУЧЕМ ГЕЛИИ

摘要

Описана конструкция вставки в гелиевый оптический криостат, предназначенной для проведения экспериментов с острием у поверхности образца в сверхтекучем гелии. В конструкции используется пьезопривод на основе биморфной пьезокерамической пластины для прецизионного подвода к образцу стандартного зонда туннельного микроскопа и "мягкого" касания поверхности острием зонда. Вставка использовалась в эксперименте с полупроводниковой GaAs/AlGaAs-гетероструктурой с парой туннелъно-связанных квантовых ям. Продемонстрирована возможность создания латеральной потенциальной ловушки в плоскости квантовых ям для квазидвумерных пространственно непрямых межъямных экситонов за счет неоднородного распределения электрического поля в образце вблизи острия.