首页> 外文期刊>Приборы и техника эксперимента >ФОРМИРОВАНИЕ КОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ С СУБНАНОСЕКУНДНЫМ ФРОНТОМ И ПИКОВОЙ МОЩНОСТЬЮ ДО 1 ГВт ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ДИОДНЫМ ОБОСТРИТЕЛЕМ
【24h】

ФОРМИРОВАНИЕ КОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ С СУБНАНОСЕКУНДНЫМ ФРОНТОМ И ПИКОВОЙ МОЩНОСТЬЮ ДО 1 ГВт ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ДИОДНЫМ ОБОСТРИТЕЛЕМ

机译:具有亚倍半导体的短脉冲和峰值电源的形成短达1 GW半导体二极管Exacerigator

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
获取外文期刊封面目录资料

摘要

Приведены результаты экспериментов по формированию мощных импульсов с фронтом < 1 нс и длительностью 1-2 нс твердотельным полупроводниковым обострителем, работающим в режиме задержанной ударно-ионизационной волны. На 50-омной нагрузке получена пиковая мощность 1 ГВт в режиме одиночных импульсов и 750 МВт при частоте следования импульсов 3.5 кГц, Описаны эксперименты по трансформации импульса с помощью формирующей линии с изменяющимся волновым сопротивлением и получению биполярных импульсов напряжения.
机译:通过在延迟冲击电离波模式下操作的固态半导体加剧器形成强大的脉冲的实验结果。 在50欧姆的负载上,在单个脉冲和750mW的速度下获得1 GW的峰值功率,速度为3.5kHz脉冲频率,使用具有变化波形的成形线和获得双极电压脉冲的脉冲变换的实验。 。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号