Тестирование прототипа детектора тяжелых заряженных части ц на основе эпитаксиальных пленок алмаза, полученных осаждением из газовой фазы

摘要

Представлены результаты испытаний прототипа поверхностно-барьерного детектора заряженных частиц на основе монокристаллических эпитаксиальных слоев алмаза. Пленки алмаза p-типа проводимости с концентрацией бора на уровне (4-8)·10~(14) см~(-3) толщиной 65 мкм были выращены с использованием осаждения из газовой фазы на сильнолегированных бором алмазных подложках, выращенных методом высокого давления и высокой температуры. Барьер Шоттки площадью 17 мм~2 был сформирован с помощью напыления Pt толщиной 30 нм. При облучении от α-источника ~238Pu (линия 5.499 кэВ) детектор при обратном смещении 90 В имел эффективность сбора заряда, близкую к 100%, и высокое энергетическое разрешение FWHM на уровне 0.56%. Полученное разрешение находится на уровне стандартных кремниевых детекторов.