В Институте кристаллографии РАН создана установка молекулярно-лучевой эпитаксии [1] для исследования процессов, происходящих на поверхности кристалла при выращивании на ней монокристаллических слоев. Особенностью этой установки является синхронная модуляция двух молекулярных пучков, направляемых на поверхность образца. Изменяющиеся во времени потоки молекул, покидающих эту поверхность, измеряют масс-спектрометром QMG 511 Balzers. Временные зависимости этих потоков позволяют определять кинетические параметры процессов, сопровождающих рост пленки (времена адсорбции, скорость диффузии).
展开▼
