ワンチップルータ実現を目指すリング共振器装荷型 III-V／Siハイブリッドレーザの検討

摘要

直接貼り付けを用いたIII-V／Siハイブリッド集積は、小型で低消費電力なシリコンプラットフォーム上光電融合ルータの実現に有用な方法である。プラズマ活性化貼り付け法は従来の直接貼り付け法と比較して、低温加熱で高い貼り付け強度の実現が可能であり、これを利用することで高効率ハイブリッドレーザの実現が期待される。今回、窒素プラズマ活性化貼り付け法を用いてリング共振器装荷型ハイブリッドレーザを作製し、発振動作を確認した。また、シリコン基板上に形成したリング共振器に由来する発振スペクトルを確認した。