化学溶液析出法によるZnOナノロッドの成長とPEDOT：PSS／ZnOナノロッドへテロ接合による紫外光検出

摘要

イオンプレーティング法Ga添加ZnOシード（GZO）層上に化学溶液析出法を用いて垂直配向ZnOナノロッド（NRs）を成長した．走査型電子顕微鏡観察から近接NRs間にギャップが存在することが明らかになった．フォトルミネセンス測定では，成長時間の増加に伴うバンド端発光に対するオレンジ色発光の強度の低下が観察された．PEDOT：PSS／ZnO NRs／GZOへテロ接合は，暗状態においてSchottky接合の形成による整流性を示し，光照射下では光電流が観察された．光電流はバンド間励起に相当する紫外線照射下で効率よく生成された．光電流の立ち上がり時間と立ち下がり時間は，それぞれ数secおよび数百secと非常に遅かった．これらの挙動は，光電流生成へのNRs表面への酸素分子イオンの吸脱着の関与を示唆している．