科学蓋ツテンダによるPtドープSi中Pt-H複合体の形成機構

摘要

化学エッチングによるPt拡散n型Siウェハ内でのPt-H複合体の形成には，ドーバントであるリンが大きく影響すると考えちれるが，Pドプのみのウェハに水素がどのように侵入レ　 P-Hペアを形成するかも明らかにされていないため，まず，Pt拡散前のウェハで?Hペア濃度分布を調べた．その結果，十分にエッチングを施すとP-Hペア濃度分布はエッチング時間，エッチング速度，エッチング時の試料温度には依存せずに，P濃度のみに強く依存し，表面から指数関数的に減少する分布となったiまた，この分布の表面濃度はNDと，また水素の侵入長は空間電荷層幅とほぼ等しくなった．さらに比較のために測定したBドープsiでのB一日ペア濃度分布は，空間電荷層奥深くまで一様分布となった．以上のことから，P-Hペアの形成には，これまでの報告でいわれてきたSi表面が削られる速風水素の拡散係数は関与せず，?によって形成される空間電荷層内電界に強く依存し,P-Hペア濃度分布は，それによって抑制された分布になることを明らかにした。 ·膜耍琍t拡散n型Siを化学エッチングしたときに形成されるPt-H複合体およびp-Hペアの濃度分布のPおよびPtso濃度依存性を調べた．全Pt-H関連準位濃度は表面近くではPtso濃度と同じ一定膳となり，P濃度には依存しなかった。しかし，濃度減少開始距離はP濃度に強い影響を受けることを示した。 　 以上の結果より，P－HペアおよびPtーH複合体形成は主にP~+電荷によって形成された空間電荷層内の電界によって決定さ．れることが明らかとなった．