...
机译:质量相对异质结和量子的价带中的杂Ge_(1-X)Si_x /锗/ Ge_的电势分布孔的分析(1-x)的Si_xc pomoshch
Институт физики металлов УрО РАН ул. Софьи Ковалевской 18 г. Екатеринбург 620219 Россия;
Институт физики металлов УрО РАН ул. Софьи Ковалевской 18 г. Екатеринбург 620219 Россия;
Институт физики металлов УрО РАН ул. Софьи Ковалевской 18 г. Екатеринбург 620219 Россия;
Институт физики металлов УрО РАН ул. Софьи Ковалевской 18 г. Екатеринбург 620219 Россия;
Институт физики металлов УрО РАН ул. Софьи Ковалевской 18 г. Екатеринбург 620219 Россия;
Институт физики металлов УрО РАН ул. Софьи Ковалевской 18 г. Екатеринбург 620219 Россия;
Физико-технический институт при Нижегородском госуниверситете г. Нижний Новгород 603600 Россия;
Институт Ван дер Ваалъса-Зеемана Университет Амстердама Нидерланды;
Институт Ван дер Ваалъса-Зеемана Университет Амстердама Нидерланды;
机译:使用Ge_(1-x)Si_x / Ge / Ge_(1-x)Si_xc异质体系的价带对相反的异质界面的质量和量子阱势的分布进行分析
机译:绝缘子跃迁附近的Ge(1-x)Sinx / Ge / Ge_(1-x)Si_x量子阱中二维空穴气体的传输特性
机译:在Ge(110)衬底上形成高质量的Ge_(1-x)Sn_x层,并在Ge_(1-x)Sn_x / Ge界面处以应变诱导的方式限制了层错
机译:在调制掺杂的P型GE_(1-x)Si_x / Ge / Ge_(1-x)Si_x量子井中的多价 - 子带磁传输
机译:弛豫基压电和铁电(1-x)铅(锌(1/3)铌(2/3))氧(3)-x钛酸铅[PZN-PT]和(1-x)的合成和表征铅(镁(1/3)铌(2/3))氧(3)-x钛酸铅[PMN-PT]。
机译:铁(II)掺杂铜铁氧体(CuII(x)FeII(1-x)FeIII2O4)的合成表征及应用
机译:第一性原理在Si / Si_(1_x)Ge_(x)异质结构和Si_(1-x)Ge_(x)合金中与电子有关的热电特性
机译:通过弛豫渐变Gexsi(1-x)缓冲层在Ge / Gesi / si衬底上直接单片集成alxGa(1-x)as / InxGa(1-x)as LED和激光器的策略。