Влияние толщины слоев ТЮ_Х/ТЮ_2 на их мемристорные свойства

摘要

Исследовано влияние толщины слоев гетеросгруктуры Т?О_x /TiО_2 на ее мемристорные свойства. Методом оже-спектроско∏ии определена зависимость показателя стехиометрии изготовленных слоев от их толщины. Зависимость отношения сопротивлений в высоко- и низкоомном состояниях Roff/R_(on) мемристорного элемента от толщины его слоев имеет немонотонный характер. Наибольшее значение R_(off)/R_(on) = 200 получено при одинаковой толщине слоев TiO_x и ТiO_2, равной 30 nm.