...
首页> 外文期刊>Журнал экспериментальной и теоретической физики: Продолж. физ. части журнала Русского физико-хим. об-ва, издававшегося с 1873 по 1930 г. >РОЛЬ КЛАСТЕРНОЙ СТРУКТУРЫ В МАГНЕТИЗМЕ АМОРФНОГО СПЛАВА Fe_(67)Cr_(18)Bi_5 И В СМЕНЕ МЕХАНИЗМОВ РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ИОННОГО (Аr~+) ОБЛУЧЕНИЯ
【24h】

РОЛЬ КЛАСТЕРНОЙ СТРУКТУРЫ В МАГНЕТИЗМЕ АМОРФНОГО СПЛАВА Fe_(67)Cr_(18)Bi_5 И В СМЕНЕ МЕХАНИЗМОВ РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ИОННОГО (Аr~+) ОБЛУЧЕНИЯ

机译:簇结构在非晶合金Fe_(67)CR_(18)Bi_5的磁性中的作用及在离子(Ar〜+)辐射的影响下的电子散射机制的变化

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

Изучен вклад разномасштабных кластеров в магнетизм и переключение механизмов рассеяния электронов в аморфном сплаве Fe_(67)Cr_(18)Bi_5 при ионном (Аr~+) облучении. Установлено, что кластерный магнетизм связан с присутствием двух типов кластеров: больших, размером D = 150-250 ? α-фазы (Fe, Сr), и мелких, D = 40-80 ?, в разупорядоченной межкластерной среде. Генерация мелких FM- и AFM-класте-ров ионным облучением приводит к формированию кластерного стекла, которое влияет на электрические свойства образцов и является основной причиной магнитной фрустрации. Показано, что температурная зависимость высоты барьера характеризует магнитное состояние образцов в слабых полях. Для системы в целом универсальной характеристикой является температурная зависимость параметра порядка. Для исходных образцов в интервале 98—300 К температурная зависимость удельного сопротивления ρ(T) ∝ ос T~2 определяется рассеянием электронов на квантовых дефектах, переход в FM-состояние выявляется при анализе производной ?ρ/?T ∝ Т. В сильнонеоднородных образцах после облучения потоком Ф = =1.5 ? 10~(18) ион/см~2 рост сопротивления и зависимос?
机译:研究了不同尺度簇将不同级别的簇和切换电子散射在非晶合金Fe_(67)CR_(18)Bi_5中的电子散射机构的贡献进行了研究,其中具有离子(Ar〜+)照射。已经确定,集群磁性与两种类型的簇存在相关:大,尺寸d = 150-250? α-相(Fe,Cr)和小,d = 40-80?,在无序的嵌段培养基中。小型FM和AFM-簇离子照射的产生导致簇玻璃的形成,这影响了样品的电性能,是磁挫折的主要原因。结果表明,屏障高度的温度依赖性表征了弱领域中的样品的磁状态。对于整个系统,通用特性是订单参数的温度依赖性。对于电阻率ρ(t)αt〜2的电阻率ρ(t)αt〜2的温度依赖性的初始样本由电子缺陷的散射确定,在分析衍生物时检测到FM状态的过渡?ρ /?在用流f = 1.5辐射后照射后的强水平样本中? 10〜(18)离子/ cm〜2抗性增长和依赖性?

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号