首页> 外文期刊>Кристаллография >ИССЛЕДОВАНИЕ СИЛЬНО ШЕРОХОВАТЫХ ФРАКТАЛЬНЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОГО РАССЕЯНИЯ В УСЛОВИЯХ СКОЛЬЗЯЩЕГО ПАДЕНИЯ
【24h】

ИССЛЕДОВАНИЕ СИЛЬНО ШЕРОХОВАТЫХ ФРАКТАЛЬНЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОГО РАССЕЯНИЯ В УСЛОВИЯХ СКОЛЬЗЯЩЕГО ПАДЕНИЯ

机译:研究非常粗糙表面的分形与掠入射X射线散射

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Применимость подходов к описанию рассеяния жесткого рентгеновского излучения на шероховатых поверхностях, как правило, ограничена максимальным значением высот шероховатостей поверхности, не превышающим 1 нм. В ряде случаев при обработке поверхности различных материалов, особенно на начальных стадиях, это значение больше в несколько раз. Для осуществления контроля параметров шероховатости на всех этапах обработки поверхности развит подход, основанный на разложении волнового поля в ряд по собственным плоским функциям, описывающим малоугловое рассеяние падающего рентгеновского излучения в терминах плоских q-волн, распространяющихся через границу раздела двух сред со случайной функцией высот рельефа. Получена система двух связанных друг с другом интегральных уравнений для определения амплитуд отраженных и прошедших плоских q-волн. В нулевом порядке найденные решения соответствуют известным выражениям Френеля для идеально плоской поверхности раздела. С использованием решений получена статистическая фрактальная модель изотропно шероховатой поверхности раздела в терминах среднеквадратичной шероховатости σ, двухточечной длины корреляции ? и индекса фрактальности h. Эта модель применена для интерпретации данных рентгеновского рассеяния на полированных поверхностях образцов монокристаллического теллурида кадмия.
机译:对粗糙表面上刚性X射线辐射的散射的方法的适用性通常限于表面粗糙度高度的最大值,不超过1nm。在某些情况下,当处理各种材料的表面时,特别是在初始阶段,该值超过几次。为了控制表面处理的所有阶段的粗糙度参数,基于其自身的平面函数的波场分解的方法描述了入射X射线辐射的挖掘散射在扁平Q波传播通过开发了两个环境的两个环境的边界,开发了随机浮雕高度功能。获得了彼此连接的两个整体方程,以确定反射和过扁平Q波的幅度。在零中,找到的解决方案对应于该截面的完全平坦的表面的公知的菲涅耳表达式。使用溶液,在根平均方粗糙度σ的方面,截面的各向同性粗糙表面的统计分形模型,获得了两点相关长度?和变形指数h。该模型应用于解释X射线散射数据,以在单晶硅镉样品的抛光表面上进行解释。

著录项

  • 来源
    《Кристаллография》 |2017年第2期|共6页
  • 作者单位

    Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотопика" РАН Москва;

    Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотопика" РАН Москва;

    Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотопика" РАН Москва;

    Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотопика" РАН Москва;

    Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотопика" РАН Москва;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 晶体学;
  • 关键词

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号