首页> 外文期刊>Химия высоких энергий >ИССЛЕДОВАНИЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ПОЗИТРОННОЙ АННИГИЛЯЦИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
【24h】

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ПОЗИТРОННОЙ АННИГИЛЯЦИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

机译:由正电子湮没谱多孔硅的调查

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Показано, что спектры углового распределения аннигиляционных фотонов в пористом кремнии хорошо аппроксимируются параболой (Ip) и двумя гауссианами (Ig1, Ig2). Узкая гауссовская составляющая Ig1 вероятнее всего обусловлена аннигиляцией локализованного пара-позитрония в порах. Полуширина этой составляющей имеет величину порядка 0.8 мрад, что соответствует кинетической энергии аннигилирующей позитрон-электронной пары (0.079 ± 0.012) эВ, а ее интенсивность порядка 1.5%. При этом общий выход позитрония в пористом кремнии достигает величины 6%. Определенный нами радиус частиц составляет величину порядка 10-20 A.
机译:结果表明,多孔硅中的湮灭光子的角分布的光谱通过抛物线(IP)和两个高斯(Ig1,Ig2)很好地近似。狭窄的高斯组件Ig1最有可能是由于孔隙中局部化的对正电子湮没。该组分的半宽度具有约0.8mRad的值,该值对应于湮灭正电子-E型(0.079±0.012)EV的动能,其强度约为1.5%。在这种情况下,多孔硅中正电子的一般输出达到6%的值。由我们确定的颗粒半径是10-20 A的顺序。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号