МЕТОД ОПТИМИЗАЦИИ ПАРАМЕТРОВ ГЕТЕРОПЕРЕХОДНЫХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

摘要

Предложен подход к расчету оптимальных параметров гетеропереходных солнечных элементов на основе кремния, ключевой особенностью которых является низкая скорость рекомбинационных процессов по сравнению с прямозонными полупроводниками. Показано, что при сравнительно небольших концентрациях основных носителей заряда (N_d~10~(15) см~(-3)) концентрация избыточных носителей заряда может быть сравнимой или большей N_d. В этом случае величина кпд eta не зависит от N_d. При более высоких значениях N_d зависимость eta(N_d) определяют две противоборствующие тенденции. Одна из них способствует росту величины eta с увеличением N_d, а другая, связанная с рекомбинацией Оже, ведет к уменьшению eta. В работе определено оптимальное значение N_d~2·10~(16) см~(-3), при котором величина eta такого элемента максимальна. Показано, что максимальная величина eta на 1.5-2% превышает значение eta при 10~(15) см~(-3).