首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Неоднородные процессы инжекции и теплопереноса в реверсивно-включаемых динисторах при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом
【24h】

Неоднородные процессы инжекции и теплопереноса в реверсивно-включаемых динисторах при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом

机译:在具有有限的散热片的频率脉冲模式下工作时在RSD不均匀的热传递和注射过程

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

Впервые получено самосогласованное расчетно-теоретическое описание физических процессов в реверсивно-включаемых динисторах (РВД) при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом. Обосновано упрощенное представление нелинейного многомасштабного механизма взаимодействия между инжекционной и теплоотводящей подсистемами, и на этой основе разработан метод расчета максимальной частоты РВД-коммутатора. Рассчитана зависимость допустимой частоты от мощности охладителя для заданных параметров чипа и формы коммутируемых импульсов. Показано, что при обеспечении надлежащего теплоотвода единичные РВД-модули с площадью чипа 1 см2 и рабочим напряжением U ≈ 2.5кВ будут способны переключать энергию 0.25 Дж за импульс с частотой повторения до 30 кГц. Для высоковольтных генераторов на их основе с U ≈ 100кВ передаваемая в нагрузку мощность на этой частоте составит несколько долей МВт.
机译:首次,当在具有有限散热器的频率脉冲模式下操作时,获得了可逆所包括的堤症师构(RVD)中物理过程的自我一致的计算和理论描述。基于此基础开发了基于此基础上开发了注射和散热器子系统之间的非线性多尺度相互作用机制的简化表示,并且计算了RVD开关的最大频率的方法。为芯片的指定参数和开关脉冲的形状计算允许频率与冷却电力的依赖性。结果表明,当确保适当的散热器时,具有芯片1cm 2的区域和工作电压U≈2.5kV的单个RVD模块将能够将0.25 J的每个脉冲切换,重复率高达30 kHz。对于基于U≈15KV的高压发生器,在此频率上传输到负载的功率将是几股MW。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号