Моделирование процесса удаления примесей из полупроводниковых пластин в неоднородном температурном поле

摘要

Показано, что при высоких значениях градиента температуры, приложенного перпендикулярно поверхностям полупроводниковой пластины, можно добиться выхода примеси, распределенной в приповерхностной области пластины, на ее поверхность. Проведено машинное моделирование термодиффузии примеси из гауссова источника, залегающего в приповерхностной области, и для случая равномерного распределения примеси. Получены кривые, иллюстрирующие накопление примеси вблизи поверхности, и найдены стационарные решения, совпадающие в обоих случаях при условии одинакового количества загнанной примеси.