Влияние ширины барьера в структуре с двумя асимметричными связанными квантовыми ямами на область существования пассивной синхронизации мод

摘要

Исследованы двухсекционные полупроводниковые лазеры с активной областью, состоящей из двух квантовых ям InGaAs различной ширины, разделенных барьером GaAs. При толщине барьера 2 nm происходит туннельное связывание ям, что обусловливает наличие непрямого оптического перехода между ними. Соответствующий этому переходу пик в спектре поглощения лазерной структуры приводит к дополнительной области существования режима пассивной синхронизации мод при малых обратных смещениях на поглощающей секции.