Пассивация поверхности арсенида галлия халькогенидом галлия

摘要

Изучаются защитные свойства тонких пленок селенида галлия на GaAs, сформированных методом гетеровалентного замещения (ГВЗ), Методами просвечивающей (Hitachi H-800) и растровой электронной микроскопии (JEOL JSM-638 OLV) установлено, что обработка в парах селена усиливает ориентирующее действие подложки GaAs на последующее осаждение пленок этого же соединения по сравнению с подложками, покрытыми естественным оксидом. Показано, что обработка подложки GaAs в парах селена и последующее удаление образованного слоя Ga2Se3 повышает степень атомной гладкости поверхности подложки.